侵權投訴

基於非易失性存儲器的高可靠性存儲遊戲數據方案

39度創意研究所 2021-01-12 14:25 次閲讀

處理財務數據的電子系統需要高度的可靠性,賭場遊戲機也不例外。這些機器存儲和/或訪問敏感的個人和財務信息,包括玩家數據和金額。玩家還可以調取補償資金和存儲的積分,這些金融交易可以代表數千美元或更多。遊戲機還需要存儲各種關鍵的操作信息,例如用户按鍵,支出比率和獲勝統計數據。

由於賭注可能很高,因此在停電,電源故障或機器故障的情況下,遊戲機必須能夠安全地保留所有這些信息。通常,當嵌入式系統發生故障時,它將默認返回安全模式,該模式使關鍵任務功能可以不間斷地繼續運行。例如,一架飛機必須保持運轉以防止其墜毀。

賭場遊戲機則相反。發生故障時,標準操作程序是確保機器受到保護,而不是清除錯誤狀態。在這一點上,通常建議對機器進行分析以確定故障原因並創建證據鏈日誌以用於潛在的賠付。例如,如果玩家剛好在死機前獲得了一個大獎,則此證據記錄對於確定該獎金是否被接受至關重要。

pIYBAF_9P4iAAyOFAAEFjpZynKY272.png

(圖1:遊戲機的框圖。)

除了存儲玩家和操作數據之外,系統還需要存儲FPGA和/或MPU使用的遊戲算法圖像(見圖1)。此外,還需要記錄操作執行狀態和系統堆棧。這些日誌中的數據對於保證賭場運營的安全完整性至關重要。

所有這些要求共同為工程師帶來了挑戰性的問題。必須安全存儲大量數據需要高密度的內存。此外,內存子系統必須非常快,以防止斷電期間丟失數據。

非易失性存儲器

首先,非易失性存儲器至關重要。傳統上,遊戲機使用電池供電的SRAM來有效保留內存。但是,這種方法不能提供足夠的可靠性。電池供電的SRAM需要多個組件,並且比單獨的本地非易失性存儲芯片消耗更多的PCB面積。通常在迴流工藝之後安裝電池,以避免温度過高影響電池,因此這會增加製造成本。電池還需要按計劃進行維護和更換。這樣的維護增加了運營費用。如果遊戲機採用諸如嗡嗡聲或震動之類的反饋,則這種振動會導致將電池易失效。最後,不符合RoHS要求的電池給娛樂場經營者帶來了不必要的麻煩。

由於這些原因,製造商更喜歡使用無電池非易失性存儲解決方案來存儲記錄的信息。表1列出了幾種類型的非易失性存儲器。EEPROM有限的耐用性並不適合必須連續運行數十年的遊戲機。

pIYBAF_9P5iACE9YAAEg3aHn8PA844.png

(表1:不同非易失性存儲器類型的比較。)

基於閃存的方法,即使像EEPROM這樣的有限耐用性計數,也可以使用稱為損耗平衡的技術來延長存儲器的壽命。MCU上的軟件採用複雜的算法來識別何時閃存磨損,並開始遇到超出設置閾值的錯誤。然後,算法搜索另一個未磨損的塊,並將數據移至該塊。損耗均衡算法傾向於嘗試在Flash設備中平均分配損耗。這使損耗均衡成為一個相當複雜的過程,在提高可靠性的同時,最終增加了寫入操作的延遲。

Flash的寫入性能會產生重大影響。通常,要記錄的數據將被捕獲並收集到緩衝區中,直到可以寫入一個完整的塊為止。接下來,必須通過耗損平衡算法來識別要寫入的內存塊,這可能涉及在大型數據表中進行基於軟件的查找。對於Flash,必須先擦除該塊,然後才能將其寫入。最後,數據緩衝區被寫入內存。

實時捕捉

當電源出現故障時,系統幾乎沒有時間做出反應。因此,為了以高可靠性存儲遊戲數據,必須連續捕獲和存儲數據。最壞的情況是在遊戲事件期間發生電源故障,因為這是實時數據產生最多的時刻。

如果在閃存寫入過程中的任何時間發生故障,則緩衝區中的數據將丟失。寫入過程越長,丟失數據的風險就越大,這對於理解機器為何故障以及建立完整性操作至關重要。

為了最大程度地減少寫入時間並提高整體可靠性,製造商正在轉向高度可靠的NVRAM解決方案,例如鐵電隨機存取存儲器(FRAM)。作為一種非易失性存儲技術,FRAM相對於電池供電的SRAM,EEPROM和閃存,為數據記錄應用提供了許多優勢。FRAM具有極高的耐用性,可反覆讀寫多達10^14個週期,對於記錄應用程序實際上是無限的。由於具有如此高的耐用性,因此無需進行磨損平衡,從而簡化了寫入過程。

此外,FRAM是一種隨機訪問技術,不需要緩衝區,可以直接在非易失性存儲單元中執行寫操作,而無需先進行單獨的擦除週期。這意味着在收集數據時,可以立即將其存儲在非易失性存儲器中。隨機訪問還消除了與內存分頁相關的延遲。因此,與閃存使用緩衝區所需的相對較長的窗口相比,可以“立即”寫入已記錄的數據(參見圖2)。

pIYBAF_9P6qAE00kAAEtxjmNNgg165.png

(圖2:在緩衝區中捕獲數據並僅在緩衝區已滿時才將其寫入Flash的延遲使關鍵數據處於危險之中。如果在此期間發生電源故障,則會丟失重要的取證數據。)隨機訪問捕獲的數據可以立即寫入FRAM。這消除了EEPROM的寫入等待時間,從而最大限度地減少了風險和數據丟失的時間。

為了提供更高的可靠性,F-RAM存儲器包括片上錯誤代碼校正(ECC),以檢測和校正位錯誤。此外,FRAM讀取具有破壞性。因此,當讀取數據時,FRAM陣列中的任何位翻轉都會被檢測到並通過ECC進行校正,並將校正後的數據寫回到該陣列中。這確保了更高的可靠性,並提高了FRAM的使用壽命。

F-RAM通過串行接口(如SPI)連接到標準存儲控制器。與電池供電的SRAM使用的並行接口相比,串口的使用可釋放處理器引腳,從而使開發人員可以選擇更緊湊的MCU封裝,減少總線走線並減小電路板尺寸。

例如InfineonTechnologies的ExcelonFRAM,可用於工業和汽車級,以確保在極端工作條件下的高可靠性。工業F-RAM在最高温度為85°C時可以存儲長達10年的數據,而在60°C時可以存儲到151年。這些存儲器還具有高性能的108MHZQuadSPI接口,使它們能夠提供與並行電池供電的SRAM相當的性能。

數據和代碼

由於其連續,隨機訪問的性質,單個FRAM器件可用於數據記錄和代碼存儲。實際上,單個存儲器可以代替ROM和RAM設備,因為FRAM同時提供SRAM和Flash的功能。在單個存儲設備中組合數據和代碼可以簡化系統設計並降低總體成本。此外,將算法代碼存儲在FRAM中會自動保留系統在發生故障時使用的代碼映像,這在故障取證過程中非常有用。

為了滿足遊戲機等應用程序對內存的可靠需求,FRAM具有高密度特性,目前最高可達8Mbit,2021年初將推出16Mbit產品。

當今的賭場運營商需要高度可靠的遊戲機來保護自己的利益,以防萬一機器在不適當的時間出現故障或斷電。當前的電池供電的SRAM系統缺乏物理魯棒性,增加了系統成本,併產生了持續的維護費用。基於閃存的系統可以在斷電期間保留數據,但也可以丟失其緩衝區,緩衝區具有最關鍵的數據,對於瞭解遊戲系統為何以及如何出現故障是至關重要的。通過與FRAM協作,開發人員可以創建數據記錄系統,該系統通過在捕獲數據時寫入數據來提供最高的可靠性,從而確保賭場運營商擁有建立證據鏈並確保可以成功獲得取證分析所需的數據。

(作者:ShivendraSingh是賽普拉斯高級應用工程師;KarthikRangarajan是Infineon的高級產品營銷工程師。)

編輯:hfy

收藏 人收藏
分享:

評論

相關推薦

嵌入式設計中的電源系統需求

隨着電子設備的集成度越累越高、使用數量越來越多,設計人員不斷面臨着提高效率,同時降低成本、減小尺寸和電磁干擾 (EMI) 的...
發表於 01-17 22:31 6次 閲讀
嵌入式設計中的電源系統需求

意法半導體的雙核MCU未來發展詳細説明

2020年,突如其來的新冠肺炎疫情改變了世界。對於MCU(微控制器),哪些機會和技術將是未來的趨勢?....
的頭像 Wildesbeast 發表於 01-17 11:42 615次 閲讀
意法半導體的雙核MCU未來發展詳細説明

如何辨別真假芯片

在IC採購過程中,最讓採購員擔心的其實不是價格,而是產品質量。市面上的IC芯片林林總總,各式各樣,不....
的頭像 Wildesbeast 發表於 01-17 09:11 217次 閲讀
如何辨別真假芯片

車用芯片短缺難緩解 汽車大廠遊説美政府出面解決車用芯片問題

據海外媒體報道,車用芯片缺貨問題日益嚴峻,多國車廠宣佈停止部分生產,此現象恐延續至今年秋天,1月15....
的頭像 章鷹 發表於 01-17 08:23 688次 閲讀
車用芯片短缺難緩解 汽車大廠遊説美政府出面解決車用芯片問題

關於​Everspin MRAM常見問題的詳細解答

Everspin Technologies,Inc是設計製造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其....
發表於 01-16 11:28 42次 閲讀
關於​Everspin MRAM常見問題的詳細解答

帶有ECC的異步SRAM存儲器可適用於各種應用領域

賽普拉斯憑藉可服務於各種高可靠性工業,通信,數據處理,醫療,消費和軍事應用的性能,快速SRAM器件可....
發表於 01-16 11:26 90次 閲讀
帶有ECC的異步SRAM存儲器可適用於各種應用領域

​MCU是控制電子產品的大腦,它是如何構成的

現如今我們生活中的許多電器都使用了MCU。例如手機、電視機、冰箱、洗衣機、以及醫療設備、智能語音設備....
發表於 01-16 11:24 193次 閲讀
​MCU是控制電子產品的大腦,它是如何構成的

2020年前十大的半導體廠商排名公佈

近日,Gartner發佈了他們對2020年半導體的營收預測。按照他們的説法,繼2019年下降12%之....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-16 09:47 395次 閲讀
2020年前十大的半導體廠商排名公佈

需求回暖背後,存儲器將繼續上漲

隨着5G、AI、IoT等技術帶來的消費電子和大規模數據中心的快速發展,市場對存儲的需求將越發白熱化。
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-16 09:34 519次 閲讀
需求回暖背後,存儲器將繼續上漲

頭部代工廠開始集中打向汽車芯片

據媒體報道,格芯汽車業務部門負責人邁克•霍根近日表示,公司正在以前所未有的速度運轉工廠,並優先考慮汽....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-15 16:08 405次 閲讀
頭部代工廠開始集中打向汽車芯片

FPGA教學實驗平台實驗指導之嵌入式系統設計

Nios II 是一個用户可配置的通用RISC 嵌入式處理器。 Altera 推出的NiosII 系....
發表於 01-15 15:27 19次 閲讀
FPGA教學實驗平台實驗指導之嵌入式系統設計

FPGA教學實驗平台實驗指導之嵌入式系統設計

Nios II 是一個用户可配置的通用RISC 嵌入式處理器。 Altera 推出的NiosII 系....
發表於 01-15 15:27 18次 閲讀
FPGA教學實驗平台實驗指導之嵌入式系統設計

上海巨微MG126低功耗藍牙芯片面向MCU生態發力物聯網

作為無線傳輸的必要技術和IoT產業鏈條的重要一環,藍牙芯片可為各設備間的互聯互通提供創新的應用支持。....
發表於 01-15 15:10 75次 閲讀
上海巨微MG126低功耗藍牙芯片面向MCU生態發力物聯網

​靈動微全新電機專用MCU MM32SPIN特性介紹

MM32系列是靈動微電子於2020年推出的新一代通用MCU平台,旨在為客户提供更高性能、更低功耗、更....
發表於 01-15 14:55 56次 閲讀
​靈動微全新電機專用MCU MM32SPIN特性介紹

【中通快遞香港查詢】2020年度top10榜單——單片機/MCU論壇資料

本榜單彙總了2020年下載量最高的10份資料,每份資料都有推薦理由,總有一款你喜歡的,快來看看吧! 1、 作者:As我還在路上&n...
發表於 01-15 14:51 326次 閲讀
【中通快遞香港查詢】2020年度top10榜單——單片機/MCU論壇資料

Altera基本自定義OpenRISC系統硬件教程

本教程的目的是幫助您以最簡單的方式編寫和實現一個自定義的、基於OpenRISC的嵌入式系統。沒有經驗....
發表於 01-15 13:51 71次 閲讀
Altera基本自定義OpenRISC系統硬件教程

存儲器的區域劃分

程序存儲器,數據存儲器,寄存器和I\O端排列在同一順序的4GB地址空間內,被控總線連接的部分。存儲器本身不具有地址信息,它...
發表於 01-14 17:37 0次 閲讀
存儲器的區域劃分

APM32工業級硬核抗寒體質,無懼-40℃寒潮!

極海APM32全系列MCU,工作温度覆蓋-40℃~+105℃,ESD等級高達8KV,具有低功耗、高性....
發表於 01-14 17:13 94次 閲讀
APM32工業級硬核抗寒體質,無懼-40℃寒潮!

如何DIY一款紅外線遙控器,具體操作步驟是怎樣的

要實現空調控制,就是要發送紅外信號,所以要有紅外發送功能。市面上空調種類繁多,肯定要適用多種品牌和機....
的頭像 智能物聯研習社 發表於 01-14 12:02 167次 閲讀
如何DIY一款紅外線遙控器,具體操作步驟是怎樣的

中國移動全閃存存儲和光纖交換機產品集採:華為、榮聯及浪潮 3 家中標

今日,從中國移動官網獲悉,中國移動公示 2020-2021 年全閃存存儲和光纖交換機產品集採項目標包....
的頭像 工程師鄧生 發表於 01-14 11:20 311次 閲讀
中國移動全閃存存儲和光纖交換機產品集採:華為、榮聯及浪潮 3 家中標

賽靈思又為何會加入保密計算聯盟呢?

保密計算旨在保障數據在存儲器中、在與主機 CPU 的往復傳遞中以及最終在主機 CPU 執行過程中的安....
的頭像 FPGA開發圈 發表於 01-14 10:12 331次 閲讀
賽靈思又為何會加入保密計算聯盟呢?

賽靈思宣佈加入了保密計算聯盟

保密計算旨在保障數據在存儲器中、在與主機 CPU 的往復傳遞中以及最終在主機 CPU 執行過程中的安....
的頭像 FPGA開發圈 發表於 01-14 09:47 356次 閲讀
賽靈思宣佈加入了保密計算聯盟

4000A系列高分辨率USB示波器的特點優勢及應用範圍

PicoScope 4000A系列高分辨率USB示波器提供2、4 或 8 通道三款示波器, 可輕鬆地....
發表於 01-14 09:32 52次 閲讀
4000A系列高分辨率USB示波器的特點優勢及應用範圍

MCU的基本功能和程序編寫

MCU的基本功能 MCU程序的編寫
發表於 01-14 07:42 0次 閲讀
MCU的基本功能和程序編寫

兩個IGBT為什麼會出現同時導通的情況呢?

  什麼是死區時間? 數據手冊的參數 如何計算合理的死區時間? STM32中配置死區時間 什麼是死區....
的頭像 玩轉單片機 發表於 01-13 16:28 204次 閲讀
兩個IGBT為什麼會出現同時導通的情況呢?

MM32F0010A1T的特點以及閃存的主要特性

靈動MM32F0010A1T使用高性能的ARM Cortex-M0為內核的32位MCU,工作頻率可高....
發表於 01-13 15:28 53次 閲讀
MM32F0010A1T的特點以及閃存的主要特性

32位單片機靈動微MM32F主流型和超值型的介紹

靈動微電子是中國本土領先的通用32位MCU產品及解決方案供應商。靈動微電子的MCU產品以MM32為標....
發表於 01-13 15:26 42次 閲讀
32位單片機靈動微MM32F主流型和超值型的介紹

DRAM 合約價格一季度將上漲 5%-10%,二季度繼續上漲

1 月 13 日消息,據國外媒體報道,週一英文媒體在報道中表示,DRAM(動態隨機存儲器)製造商南亞....
的頭像 工程師鄧生 發表於 01-13 15:25 370次 閲讀
DRAM 合約價格一季度將上漲 5%-10%,二季度繼續上漲

直面新能源汽車存儲痛點

近年來,我國新能源汽車產業發展迅速,成為汽車產業的重要增長點,據2018年新能源車銷量統計顯示,TO....
的頭像 富士通電子 發表於 01-13 10:39 356次 閲讀
直面新能源汽車存儲痛點

2020中國IC設計產業銷售額預計為3819.4億同比增長23.8%

面對新冠肺炎疫情等不利因素,2020年中國作為全球集成電路(IC)設計產業發展最具活力地區之一,依然....
發表於 01-13 09:34 280次 閲讀
2020中國IC設計產業銷售額預計為3819.4億同比增長23.8%

10個MCU常用的基礎知識彙總

10個MCU常用的基礎知識
發表於 01-13 07:42 0次 閲讀
10個MCU常用的基礎知識彙總

鐵電存儲器在多MCU系統中應用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

1、鐵電存儲器技術原理、特性及應用 美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體....
發表於 01-13 05:24 166次 閲讀
鐵電存儲器在多MCU系統中應用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

MCU需求量上漲同時MCU產能卻沒能達到要求最終引爆MCU市場缺貨

近期全球MCU市場供需失衡情況愈發嚴重。繼瑞薩、NXP等芯片大廠先後發佈漲價通知之後,意法半導體也於....
發表於 01-12 14:16 281次 閲讀
MCU需求量上漲同時MCU產能卻沒能達到要求最終引爆MCU市場缺貨

英特爾發佈四款全新系列的處理器產品

Intel在CES 2021期間帶來了4款全新系列的處理器產品,包含第11代CoreH筆電處理器、1....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-12 14:00 446次 閲讀
英特爾發佈四款全新系列的處理器產品

回顧2020年的半導體發展狀況

2020年,半導體行業可以説是風雲變幻的一年。在新冠肺炎疫情的衝擊下,市場先抑後揚,從一度悲觀預測的....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-12 11:35 965次 閲讀
回顧2020年的半導體發展狀況

2021年芯片行業面臨嚴峻考驗 靈動產品第一季度價格不作調整

隨着新冠疫情持續發酵,2021年芯片行業將面臨更嚴峻的供應鏈考驗,原材料成本上漲、產能吃緊、供貨週期....
發表於 01-12 11:26 628次 閲讀
2021年芯片行業面臨嚴峻考驗  靈動產品第一季度價格不作調整

紫光國微:國內領先的集成電路芯片產品和解決方案提供商

紫光國微是紫光集團有限公司旗下核心企業,是國內最大的集成電路設計上市公司之一。
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-12 09:50 629次 閲讀
紫光國微:國內領先的集成電路芯片產品和解決方案提供商

MCU的基本功能及程序編寫

MCU的基本功能 MCU程序的編寫
發表於 01-12 07:53 0次 閲讀
MCU的基本功能及程序編寫

通用MCU呈現專用SOC化的趨勢介紹

通用MCU呈現專用SOC化的趨勢
發表於 01-12 07:30 0次 閲讀
通用MCU呈現專用SOC化的趨勢介紹

SRAM和DRAM的介紹,它們的原理以及特點是怎樣的

SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM具有較高的性能,功耗較小。SRAM主要用於二....
發表於 01-11 16:48 313次 閲讀
SRAM和DRAM的介紹,它們的原理以及特點是怎樣的

如何選擇非易失性SRAM,如何解決SRAM的數據保存問題

隨着半導體技術的飛速發展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型:靜態RAM....
發表於 01-11 16:44 233次 閲讀
如何選擇非易失性SRAM,如何解決SRAM的數據保存問題

升級MEMS製造:從概念到批量生產

任何晶圓的刻蝕都涉及邊緣不連續性,而且隨着晶圓尺寸提升至300mm,這些問題對良率的影響會更為顯著。
發表於 01-11 14:52 143次 閲讀
升級MEMS製造:從概念到批量生產

Holtek推出耐壓12V的兩節鋰電池充放電管理Flash MCU

BP45F1430提供24-pin SSOP/QFN(4mm×4mm)封裝,BP45F1632提供2....
發表於 01-11 14:13 163次 閲讀
Holtek推出耐壓12V的兩節鋰電池充放電管理Flash MCU

定時器的使用方法 MM32主/從定時器同步與精準定時操作實例

MM32L073的每個定時器都可以由另一個定時器觸發啓動定時器一般是通過軟件設置而啓動,MM32L0....
發表於 01-11 11:25 174次 閲讀
定時器的使用方法 MM32主/從定時器同步與精準定時操作實例

半導體產業漲價潮從何來?漲勢如何?

MOS漲價、電源管理芯片漲價、MCU漲價、汽車電子元件芯片漲價、內存芯片漲價……每一份漲價通知函,都....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-11 09:05 592次 閲讀
半導體產業漲價潮從何來?漲勢如何?

實例解讀51單片機學習與運用的學習課件免費下載

單片機就好像核心控制者,統管着液晶屏USB口、存儲器DAC及驅動電路、按鈕等外部設備,並有序地在這些....
發表於 01-11 08:00 43次 閲讀
實例解讀51單片機學習與運用的學習課件免費下載

SRAM的容量擴展解析

SRAM的容量擴展
發表於 01-11 07:48 0次 閲讀
SRAM的容量擴展解析

如何選擇低功率MCU需考慮外設功耗與電源管理

選擇低功率MCU需考慮外設功耗與電源管理
發表於 01-11 07:13 0次 閲讀
如何選擇低功率MCU需考慮外設功耗與電源管理

華米戰投:聚焦IoT產業機會,實現全球化擴張發展

華米戰投服務於華米科技的戰略佈局,將半導體(含傳感器)作為科技領域的核心賽道之一,聚焦汽車、醫療健康....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-10 08:57 995次 閲讀
華米戰投:聚焦IoT產業機會,實現全球化擴張發展

汽車芯片供應緊縮,本田汽車本月削減產能4000輛

據日本經濟新聞週五(8日)報道,由於汽車芯片供應緊縮,本田汽車宣佈將減少汽車產量,本月將首先削減約4....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-08 14:15 455次 閲讀
汽車芯片供應緊縮,本田汽車本月削減產能4000輛

靳宏榮在華大半導體參加黨建聯繫點活動

中國電子黨組成員、副總經理靳宏榮來到華大半導體,參加黨委理論學習中心組學習會和MCU事業部黨支部的主....
的頭像 華大半導體有限公司 發表於 01-08 14:14 237次 閲讀
靳宏榮在華大半導體參加黨建聯繫點活動

聚辰半導體:三大產品線,深耕存儲器芯片設計

  【中通快遞香港查詢】2021中國IC風雲榜“年度最佳中國市場表現獎”徵集現已啓動!入圍標準要求為年銷售額超....
的頭像 半導體投資聯盟 發表於 01-08 11:38 437次 閲讀
聚辰半導體:三大產品線,深耕存儲器芯片設計

嵌入式UART串口調試與嵌入式串口調試連接概述:調試接口與pc的交互程序的開發

嵌入式軟件開發 在項目的開發過程中,使用調試工具是必不可少的。 串口簡單靈活的特性常被工程師用作代碼....
發表於 01-08 11:08 390次 閲讀
嵌入式UART串口調試與嵌入式串口調試連接概述:調試接口與pc的交互程序的開發

台積電談實現5nm的關鍵技術

    進入最近幾年,每當我們引入一個新的先進工藝節點,大家都把絕大多數注意力集中在光刻更新上。引用....
的頭像 旺材芯片 發表於 01-08 10:44 340次 閲讀
台積電談實現5nm的關鍵技術

如何提升SRAM性能?

提升SRAM性能的傳統方法
發表於 01-08 07:41 0次 閲讀
如何提升SRAM性能?

STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

oelectronics STM32H7高性能MCU基於高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC內核,工作頻率高達400MHz。Cortex-M7內核具有浮點單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標準)和單精度數據處理指令與數據類型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護單元 (MPU),可增強應用的安全性。 該MCU採用高速嵌入式存儲器,具有高達2MB的雙區閃存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的備份SRAM)。另外,該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強型I/O和外設,以及支持內部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。 該器件設有三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用於電機控制的PWM定時器、五個低功耗定時器和一個真隨機數發生器 (RNG)。該器件支持四個用於外部Σ-Δ調製器 (DFSDM) 的數字濾波器,並設有標準和高級通信接口。 特性 核心 ...
發表於 10-28 14:50 128次 閲讀
STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

標準的參數搜索 易於訪問密鑰產品參數 部件號搜索用於直接訪問特定的產品 數據表的下載離線諮詢 來採樣和購買 最喜歡的部分數字管理 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 適用於Android™或iOS™操作系統 在Wandoujia應用程序商店,為中國用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS設備上使用的手機應用程序提供通過www.st.com在線產品組合中的一個用户友好的替代搜索,驅動用户使用以及便攜式設備順利和簡單的導航體驗。參數搜索引擎允許用户快速識別出最適合其應用合適的產品。此應用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
發表於 05-21 07:05 98次 閲讀
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

,零件編號和產品 技術數據表下載和離線諮詢一系列的搜索功能 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般説明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表收藏欄目 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 可在安卓™和iOS™應用商店 ST-DIODE-FINDER是可用於Android™和iOS™的應用程序,它可以讓你探索使用便攜式設備的ST二極管的產品組合。您可以輕鬆地定義設備最適合使用參數或一系列的搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由於採用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表於 05-20 18:05 79次 閲讀
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

引導搜索 部分號碼搜索能力 主要產品功能發現 數據表下載和離線諮詢 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 樣品訂購所選產品的 主屏幕上的語言選擇 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半導體串行EEPROM組合最快和最明智的方式使用智能電話或平板。
發表於 05-20 17:05 66次 閲讀
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線諮詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般説明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用於Android收藏節™和iOS™應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用於Android™和iOS™的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕鬆地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由於採用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表於 05-20 17:05 111次 閲讀
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用於移動設備

於Android和iOS電話移動應用 友好的用户界面 的直觀的產品的選擇: MEMS和傳感器 評估工具 應用 參數搜索使用多個過濾器 部件號搜索 訪問技術文檔 從ST經銷商在線訂購 通過電子郵件或社交媒體最喜歡的部分數字管理經驗分享 支持的語言:英語(中國,日本和韓國即將推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移動應用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通過MEMS和傳感器網絡產品組合搜索,驅動用户一起順利和簡單的導航體驗。...
發表於 05-20 17:05 80次 閲讀
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用於移動設備

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I²C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)遊標存儲器 温度係數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 遊標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)於一體,採用緊湊型封裝。該器件既可以採用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以採用2.7 V至5.5 V的單電源供電,並提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的遊標設置可通過I²C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,並提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似於將環氧樹脂塗在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作温度範圍為−40°C至+125°C擴展...
發表於 04-18 19:35 52次 閲讀
AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I²C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)遊標存儲器 温度係數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 遊標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)於一體,採用緊湊型封裝。 該器件既可以採用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以採用2.7 V至5.5 V的單電源供電,並提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的遊標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,並提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似於將環氧樹脂塗在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作温度範圍為−40°C至+125°C擴展工業...
發表於 04-18 19:35 60次 閲讀
AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程遊標存儲器 温度係數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器温度係數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲瞭解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 温度範圍:−55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一製造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)於一體,採用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓範圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小於1%,並具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的遊標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,並提供20次永久編程的機...
發表於 04-18 19:31 126次 閲讀
AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 温度係數(變阻器模式):35 ppm/°C 温度係數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲瞭解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬於ADI公司的digiPOT+™ 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)於一體,採用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓範圍很寬,既可以採用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以採用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小於1%,並提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的遊標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,並提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將遊標位置固定(類似於將環氧樹脂塗在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表於 04-18 19:31 90次 閲讀
AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲遊標設置,並具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 µs EEMEM重寫時間:540 µs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用户自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲瞭解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C®, 採用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、遊標設置回讀,並額外提供EEMEM用於存儲用户自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步遊標設置寫入RDAC寄存器,並將其存儲在EEMEM中。存儲設置之後,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表於 04-18 19:29 104次 閲讀
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲遊標設置,並具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 µs EEMEM重寫時間:540 µs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用户自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲瞭解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C®, 採用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、遊標設置回讀,並額外提供EEMEM用於存儲用户自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步遊標設置寫入RDAC寄存器,並將其存儲在EEMEM中。存儲設置之後,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表於 04-18 19:29 108次 閲讀
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存遊標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 遊標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電覆位至EEMEM設置,刷新時間小於1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的遊標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之後,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置遊標位。這種操作由內部預設選通脈衝使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在遊標位設置(RDAC)寄...
發表於 04-18 19:29 203次 閲讀
AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存遊標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 遊標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電覆位至EEMEM設置,刷新時間小於1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的遊標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之後,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置遊標位。這種操作由內部預設選通脈衝使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在遊標位設置(RDAC)寄存器...
發表於 04-18 19:29 183次 閲讀
AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低温度係數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲遊標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存於EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用於存儲用户定義信息 1M編程週期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 温度範圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個製造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低温度係數性能。通過SPI®-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和遊標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用於存儲用户定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表於 04-18 19:28 246次 閲讀
AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存遊標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 µs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 遊標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款採用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、遊標設置回讀,並額外提供EEMEM用於存儲用户自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,並在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈衝予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表於 04-18 19:28 208次 閲讀
AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩衝區,並支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用於暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用於高可靠性應用。 適用於新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業温度範圍 自定時寫週期 64字節頁面寫緩衝區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se週期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 19:13 344次 閲讀
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩衝區,並支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用於暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用於高可靠性應用。 適用於新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓範圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩衝區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫週期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除週期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業温度範圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
發表於 04-18 19:13 1057次 閲讀
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩衝區,並支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啓用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用於暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓範圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩衝區 自定時寫入週期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除週期 100年數據保留 工業和擴展温度範圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
發表於 04-18 19:13 138次 閲讀
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩衝區,並支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用於暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓範圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩衝區 自定時寫週期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除週期 100年數據保留 工業温度範圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 19:13 235次 閲讀
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI